8月21日消息，SK海力士宣布成功開發(fā)面向AI行業(yè)的超高性能DRAM新產(chǎn)品HBM3E，這是目前可用于AI應用的下一代最高規(guī)格DRAM。據(jù)悉，SK海力士計劃在明年上半年開始量產(chǎn)HBM3E，現(xiàn)已提供給NVIDIA和其他客戶進行性能評估。

SK海力士透露，該產(chǎn)品可每秒處理1．15TB的數(shù)據(jù)，相當于能在1秒內(nèi)處理230部5GB大小的全高清級電影。

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此外，通過在最新產(chǎn)品上采用先進質(zhì)量回流模塑底部填充（MR－MUF）的尖端技術(shù)，該產(chǎn)品的散熱性能提高了10％。它還提供向后兼容性，甚至可以在為 HBM3 準備的系統(tǒng)上采用最新產(chǎn)品，而無需修改設計或結(jié)構(gòu)。

（注：MR－MUF：將半導體芯片堆疊后，為了保護芯片和芯片之間的電路，在其空間中注入液體形態(tài)的保護材料，并進行固化的封裝工藝技術(shù)。與每堆疊一個芯片時鋪上薄膜型材料的方式相較，工藝效率更高，散熱方面也更加有效。

向后兼容性（Backward compatibility）：指在配置為與舊版產(chǎn)品可兼容的IT／計算系統(tǒng)內(nèi)，無需另行修改或變更即可直接使用新產(chǎn)品。例如，對CPU或GPU企業(yè)，如果半導體存儲器新產(chǎn)品具有向后兼容性，則無需進行基于新產(chǎn)品的設計變更等，具有可直接使用現(xiàn)有CPU／GPU的優(yōu)點。）

早在今年六月，SK海力士已經(jīng)收到了NVIDIA的請求，要求對其下一代HBM3e DRAM進行采樣，當NVIDIA成為現(xiàn)實時，它成為現(xiàn)實。宣布其 GH200 GPU 具有增強的 HBM3e DRAM，每個芯片提供高達 5 TB／s 的帶寬。

該公司表示，憑借其作為業(yè)界最大HBM產(chǎn)品供應商的經(jīng)驗和量產(chǎn)準備水平，SK海力士計劃在明年上半年量產(chǎn)HBM3E，并鞏固其在AI內(nèi)存市場無與倫比的領導地位。

據(jù)該公司稱，最新產(chǎn)品不僅符合業(yè)界最高的速度標準，AI內(nèi)存產(chǎn)品的關鍵規(guī)格，而且所有類別都包括容量，散熱和用戶友好性。

此外，通過在最新產(chǎn)品上采用先進質(zhì)量回流模塑底部填充（MR－MUF）的尖端技術(shù)，該產(chǎn)品的散熱性能提高了10％。它還提供向后兼容性，甚至可以在為 HBM3 準備的系統(tǒng)上采用最新產(chǎn)品，而無需修改設計或結(jié)構(gòu)。

AI模型正在重塑千行百業(yè)，包括與之密切相關的計算能力產(chǎn)業(yè)鏈。如今，AI模型的快速發(fā)展對存儲行業(yè)提出了新的要求。隨著大型模型的出現(xiàn)，海量的數(shù)據(jù)需要更強的存儲性能來支持高效的數(shù)據(jù)訪問和處理，以釋放計算能力。因此，存儲行業(yè)正在升級和改變，涌現(xiàn)出一些新的概念和技術(shù)，如高帶寬存儲（HBM）等。

高帶寬存儲（HBM）是一種新型的內(nèi)存技術(shù)，通過將DRAM堆疊在芯片上，提供了更大的帶寬和更低的能耗。HBM可以滿足大型模型對高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)男枨螅峁┝烁玫臄?shù)據(jù)處理能力。

高性能的存儲產(chǎn)品如HBM3E對于大型AI模型的數(shù)據(jù)處理需求至關重要，它能夠滿足海量數(shù)據(jù)的高速讀寫和處理要求，從而充分釋放計算能力。

通過持續(xù)的技術(shù)創(chuàng)新和新產(chǎn)品的開發(fā)，存儲行業(yè)積極應對AI模型對數(shù)據(jù)存儲和處理的要求。這將進一步推動AI技術(shù)的發(fā)展，為各行各業(yè)的數(shù)字化轉(zhuǎn)型和創(chuàng)新提供更強大的支持。

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